展现 176 层 NAND 与 1α 制程 DRAM 领先优势,美光为 DC、车用与终端领域释放数据力量

展现 176 层 NAND 与 1 制程 DRAM 领先优势,美光为 DC、车用与终端领域释放数据力量

身处资料经济时代里,企业成败关键就在于运用潜藏在数据背后的洞见与力量,记忆体与储存方案的领导者 Micron 美光科技日前在台北国际电脑展分享,如何透过创新记忆体和储存技术,让资料中心到智慧终端的运算性能再进化,并在彻底发挥 AI5G 创新应用动能后,全面加速数据洞见与智慧化进程的愿景。该公司也在盛会上发表一系列全球首款基于 176 层 NAND 与 1 DRAM 技术的记忆体与储存产品,以及全球第一款支援 UFS 3.1 介面的车用储存方案。

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