因应 AI 高速运算！工研院发表新型磁性记忆体与 110GHz 超高频模型

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工研院携手阳明交通大学、清华大学在全球半导体领域顶尖的“超大型积体技术及电路国际会议”（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE 国际微波会议（IEEE／MTT-S International Microwave Symposium，IMS），发表新型磁性记忆体与 110GHz 超高频模型技术成果，适用主流先进制程所需 AI 高速运算能力及制程微缩需求。

经济部技术处指出，制程微缩是在半导体先进制程的重要趋势，由于 VLSI 与 IMS 分别是世界顶尖的半导体与微波领域国际会议，每年与会人数达上万人，今年工研院与阳明交大、清华大学分别在 VLSI 与 IMS 国际会议上发表前瞻研发论文，展现中国台湾在新世代记忆体与超高频科技的深厚能量。

工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，AI 人工智慧、5G 时代来临，快速处理大量资料的需求暴增，随着摩尔定律持续向下微缩，半导体业者开始寻求成本更佳、速度更快、效能更好的解决方案。

张世杰指出，由于磁阻式随机存取记忆体（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）具有高写入与读取速度，兼具快闪记忆体非挥发性，工研院多年前从元件创新、材料突破、电路优化等方式展开研究，成功开发出国际领先的磁性记忆体与相关运算技术。

今年工研院携手阳明交大在 VLSI 共同发表新型单极化磁性记忆体 Unipolar-MRAM，一般要写入资讯必须要透过双向电压来控制，Unipolar-MRAM 只要利用单向电压即可存储和读取数据，在简单的交点式结构（Cross-point Structure）达成高度元件微缩，不但较传统磁性记忆体具有更高存取速度、低功耗和更长的数据保持时间，更可与既有的二极体与相关制程整合、相容，实现较以往更高的储存密度。

未来除了在物联网设备、智慧手机、车载电子和人工智慧等领域，提供高速、低功耗的数据存储解决方案，在量子电脑、航太领域等前瞻应用更是潜力强大，而面对 B5G、6G 通讯基础建设布建及营运，新兴半导体材料氮化镓具高频、高功率特性，逐渐在高频毫米波应用上成为显学。

工研院为强化 B5G、6G 国产化产业链，多年前从磊晶上游端串联马来西亚基板、半导体晶圆代工、封装与网通等业者，建立完整的产业链，并与清大教授徐硕鸿团队在元件开发、自主模型建立、电路设计上合作，突破高频电路效能，今年双方合作在 IEEE 发表基于自主超高频模型下实现 110GHz 振荡器电路创新成果。

新成果可在 0.15um 的氮化镓制程下，达到世界最高频 110GHz 振荡器记绿，技术团队提出的自主三端电路模型为新结构自主模型，不仅可优化业界半导体厂提供模型，更在 110GHz 高频达到极高准确度，未来将以此关键技术持续拓展国际合作契机。

（首图来源：工研院）

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