辉达 H200 要用，美光量产 HBM3E、股价登两年高

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美国记忆体大厂美光（Micron Technology）开始量产高频记忆体“HBM3E”，将应用于辉达（Nvidia Corp.）最新 AI 晶片，股价闻讯跳高。

路透社、Barron’s报道，美光26日指出，HBM3E耗电量比对手少30%，可满足生成式AI应用的需求。美光的24GB 8H HBM3E将应用于辉达次世代的“H200”Tensor Core绘图处理器（GPU）。H200预定今（2024）年第二季出货，取代当前算力最强大的H100。

美光商务长Sumit Sadana在新闻稿表示，AI任务高度仰赖记忆体频宽及容量，美光具备极佳竞争优势，能透过领先业界的HBM3E及HBM4产品蓝图，支援大幅成长的AI应用。

Moor Insights & Strategy分析师Anshel Sag表示，美光有望迎来庞大商机，尤其是在AI应用让HBM晶片变得更加热门的情况下。他说，由于SK海力士（SK Hynix）的2024年库存已全数售罄，出现另一家供应商，将协助超微（AMD）、辉达等业者扩大GPU产能。

HBM是美光利润最高的产品之一，其复杂的建构过程是部分原因。美光先前曾预测，2024年HBM营收上看数亿美元，2025年还有望进一步成长。

美光表示，将于辉达3月18日举行的“GPU Technology Conference”（又称GTC大会）发表更多记忆体产品。

美光高层曾于2023年12月的电话会议表示，生成式AI有望让公司迎来为期多年的成长期（multiyear growth），预测2025年记忆体产业营收将写下历史新高纪录。高层当时还说，为辉达H200打造的HBM3E已进入最后品管阶段。

美光26日闻讯劲扬4.02%、收89.46美元，创2022年3月2日以来收盘新高，为费城半导体指数增添涨势。费半成分股记忆体专利大厂Rambus Inc.同步劲扬4.6%、收58.62美元。

（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：AI资源网）

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