SK 海力士 3 月量产 HBM3E，领先对手供应辉达
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外媒 Moneytoday 报道，韩国记忆体大厂 SK 海力士 1 月中旬结束 HBM3E 开发，顺利完成辉达（NVIDIA）历时半年性能评估，3 月将投产五代 HBM3E 高频宽记忆体，下个月供应辉达首批产品。
半导体开发为 Phases 1~9 九阶段，SK 海力士已完成所有阶段开发，进入最后增产（ramp-up），代表现在起生产的 HBM3E 都是可交货成品。
除 SK 海力士外，竞争对手三星和美光也提供 HBM3E 样品，但要到 3 月才开始最后品质认证测试，较 SK 海力士至少晚了两个月。
这批 HBM3E 将用于辉达下代 Blackwell 系列 AI 晶片旗舰产品 B100，辉达计划第二季末或第三季初推出产品。辉达已在 AI GPU 市场有超过 90% 以上市占率，记忆体市场 SK 海力士则有全球 HBM 一半以上市占率，更 100% 垄断 128GB DDR5 大容量 DRAM 市场。SK 海力士与辉达合作，颇受市场看好推升 AI 晶片发展。
(首图来源：SK 海力士)
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