AI 记忆体商机可期，传三星拟大幅增产 3D DRAM

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专为高效能 AI（人工智慧）处理器与服务器打造的 3D 堆叠 DRAM，传三星计划增产 30 倍。

3D DRAM 采用硅穿孔（Through Silicon Via）技术，可将 DRAM 晶片垂直堆叠，由于进出通道加宽，传输速度也大幅加快。

南韩媒体 ETnews 引述产业消息报道指出，三星最近向设备供应商订购新型 20 台热压接合封装机（TCB），这是硅穿孔技术的必要设备，且按理来说，新机具产出是原有机台的 8 倍。新 TCB 机台今年底可就定位，预估届时三星硅穿孔制程产能将可增加 30 倍之多。

英特尔与 Nvidia 现均朝 AI 积极发展，也都是三星潜在客户群。除此之外，日前有消息指出苹果正在开发 AI 专属晶片，将用以处理脸部与语音辨识等工作，可应用于 iPhone 与 iPad 等装置，三星显然已嗅到这股 AI 记忆体的新商机就在不远处。

（本文由 MoneyDJ新闻授权转载；首图来源：shutterstock）

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