DRAM 合约价落底、Q4 见拐点，美系外资看好 AI 记忆体类股

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美系外资最近出具最新报告表示，6 月是 DRAM 合约价格低点，供应紧张迅速改变了供需动态，有助于推动第三季的平衡，合约价格很可能从第四季起出现拐点上升。至于库存问题在第二季也获得大幅改善，预计明年获得缓解。

PC 看起来已经过了低谷，智慧手机成长速度虽较慢，但已恢复到正常周期。AI 部分有超大规模客户正加速支出，并扩大到应用程式开发人员、企业 IT 部门，甚至官方。整体来看，现在不是注意 DRAM 周期，而是市场时机，如果不在涨势最好的几周内投资，很可能错过整个周期的收益。

目前机器学习一大瓶颈是处理器的记忆体频宽，因此 AMD 推出 MI300X 晶片、辉达 H100 都在解决这一问题。根据市场消息，SK 海力士 14 日收到辉达要求 HBM3E 记忆体样品送测，准备发货。由于市场需求增加，SK海力士考虑 HBM 记忆体产能扩增一倍。

美系外资指出，下一个升级是 1 奈米的 HBM3E，明年上半年开始量产，速度为 8Gbps，功耗降低 20%。也因此，目前须对 SK 海力士的现金流重新定价，以考虑这个新的整体潜在市场。

不过美系外资强调，指标泡沫化也是应该注意的风险之一，而且很可能出现战术性回档，但这更多是值得买入的跌势，而非一个最高点。

从 SK 海力士角度看，有鉴于在 AI 领域建立的稳固地位，美系外资仍维持优于大盘评级。美系外资预估，AI 相关业务今年有望成长三倍，第二季占总 DRAM 基数的高个位数，主要由用于 GPU 的 HBM 以及用于 AI 服务器系统的 128GB DDR5 模组驱动。

整体来看，AI 仍非 2024 年 EPS 上升的主要驱动力，但美系外资对三星维持优于大盘评级，海力士仍是首选股票。

（首图来源：shutterstock）

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