SK 海力士确认 2024 年启动 HBM4 开发
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虽然 2023 年记忆体市场低迷，不过，SK 海力士却把握住了服务器市场更换 DDR5 记忆体及生成式人工智慧（AI）爆发的机会，凭藉针对性的产品线和市场策略，拿下了不少市场占有率。而且，在成为辉达高频宽记忆体的合作伙伴之后，SK 海力士延续了 HBM 市场的领导地位，甚至出现了“赢家通吃”的局面。
近日，SK 海力士在介绍 2024 年储存产品线的时候，已确认 2024 年将启动下一代 HBM4 的开发工作，为资料中心和人工智慧产品提供动力。其实，在 2023 年在第四季，包括三星和美光就已先后确认正在开发 HBM4，预计分别在 2025 年和 2026 年正式推出。
HBM 已经经过 5 个世代的发展，其中在 HBM3E 是 HBM3 的扩展版本，而HBM4 将是第 6 代产品。SK 海力士表示，HBM3E 会在 2024 年进入大量生产，而启动 HBM4 的开发工作代表着 HBM 产品的持续发展迈出了重要的一步。
先前报道，下代 HBM4 设计会有重大变化，堆叠采 2048 位元介面。2015 年以来，每个 HBM 堆叠都是 1024 位元介面，位元频宽翻倍是 HBM 记忆体技术推出后最大的变化。如果 HBM4 能保持现有的接脚速度，代表着频宽将从现在 HBM3E 的 1.15TB/s，提升到 2.3TB/s 的水准，提升会相当明显。
HBM4 堆叠层数也有变化，除了首批 12 层垂直堆叠，2027 年还有 16 层垂直堆叠产品。HBM 还会往更客制化方向发展，不仅安装在 SoC 主晶片旁边，部分还会转向堆在主晶片上，带来更大效益。
（首图来源：SK 海力士）
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