满足 AI 应用需求，日月光 VIPack 平台推先进小晶片互连

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日月光半导体宣布，VIPack 平台先进互连技术的最新进展，透过微凸块 (microbump) 技术将晶片与晶圆互连间距的制程能力从 40 微米提升到 20 微米，可以满足人工智慧 (AI) 应用于多样化小晶片 (chiplet) 整合日益成长的需求。这种先进互连解决方案，对于在新一代的垂直整合（例如日月光 VIPack 平台 2.5D 和 3D 封装）与 2D 并排解决方案中实现创造力和微缩至关重要。

日月光表示，随着小晶片设计方法的加速进化，对于以往存在晶片 IO 密度限制进行真正的 3D 分层 IP 区块，日月光的先进互连技术使设计人员能够有创新的高密度小晶片整合选项。日月光的微凸块技术使用新型金属叠 层(metallurgical stack)，将间距从 40 微米减少到 20 微米。微凸块技术的进步扩展现有的硅与硅互连能力，此技术更有助于促进其他开发活动，进而进一步缩小间距。

另外，当针对系统单晶片 ( SoC ) 进行小晶片或 IP 区块解构 (disaggregation) 时，区块之间可能存在大量的连接。而小尺寸 IP 区块往往会导致许多空间受限的连接。微间距互连技术可以实现 3D 整合以及更高密度的高 IO 记忆体 (high IO memory)。

日月光指出，随着全球人工智慧市场近年呈指数型成长，日月光提供先进的互连创新技术，可以满足复杂晶片设计以及系统架构的要求，降低整体制造成本并加快上市时间。晶片级互连技术的扩展为小晶片开辟了更多应用，不仅针对人工智慧等高阶应用，也扩及手机应用处理器 (mobile AP)、微控制器等其他关键产品。

日月光集团研发处长李长祺表示，硅与硅互连已从焊锡凸块进展到微凸块技术，随着我们进入人工智慧时代，对于可跨节点提升可靠性和优化性能的更先进互连技术需求日益成长，我日月光过新的微间距互连技术突破小晶片整合障碍，并将持续突破极限以满足小晶片整合需求。日月光工程与技术行销资深处长 Mark Gerber 也强调，日月光的客户要求变革性技术来支援他们的产品蓝图。 这些先进的互连技术 (例如结合 VIPack 结构的微凸块) 有助于解决性能、功耗和延迟方面的挑战。日月光的先进互连技术为寻求超微细间距解决方案的客户提供了令人信服的选择，可以提高整体性能、实现可扩展性和功耗优势。

日月光 VIPack 是一个对焦产业蓝图可不断扩展的平台，拥有优化的协作设计工具──整合设计生态系统 （Integrated Design Ecosystem，IDE），可系统性地提升先进封装架构。

(首图来源:shutterstock)

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